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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0000341 (2012-01-03) | |
공개번호 | 10-2013-0079703 (2013-07-11) | |
등록번호 | 10-1337267-0000 (2013-11-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120000341 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-01-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터는 기판, 및 기판상에 형성된 단결정 나노와이어를 포함한다. 이때 단결정 실리콘 나노 와이어는, 단결정 실리콘 나노와이어의 길이 방향으로 서로 이격되어 형성되는 소스 영역과 드레인 영역, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함하고, 길이 방향과 수직 방향으로의 채널 영역의 두께는 소스 영역과 드레인 영역의 두께보다 작다. 이와 같이, 트랜지스터의 채널로 사용되는 단결정 실리콘 나노와이어 채널 영역
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