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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0006743 (2012-01-20) |
공개번호 | 10-2013-0085729 (2013-07-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120006743 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 포토레지스트 제거용 신너 조성물에 관한 것으로, 특히 a) 에틸3-에톡시프로피온산; b) 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트; c) 감마 부티로락톤; 및 d) 메틸 락테이트를 포함하는 포토레지스트 제거용 신너 조성물에 관한 것이다.본 발명의 포토레지스트 제거용 신너 조성물은 반도체 제조 또는 디스플레이의 제조 공정 중 포토레지스트 도포시 웨이퍼의 에지(edge) 부분이나 이면에 불필요하게 도포된 포토레지스트를 단시간에 효율적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 인체에 대한 안정성이 높으며, 반도체 제조공정 및 디스플레이
a) 에틸3-에톡시프로피온산; b) 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트; c) 감마 부티로락톤; 및 d) 메틸 락테이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 신너 조성물.
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