최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2012-0012738 (2012-02-08) | |
공개번호 | 10-2013-0091450 (2013-08-19) | |
등록번호 | 10-1395644-0000 (2014-05-09) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120012738 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2012-02-08) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 4B족 금속 유기화합물 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition : CVD) 또는 원자층 증착법(Atomic layer deposion : ALD)에 적용 가능하고 열적, 화학적으로 안정한 4B족 금속 유기화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 합성된 4B족 금속 유기화합물은 고휘발성이며 열적으로 안정하여 4B족 금속 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다.(화학식 1)상기 화학식 1에서,M은 T
하기 화학식 1로 표시되는 4B족 금속 유기화합물을 사용하는 반도체 소자의 증착방법.(화학식 1)상기 화학식 1에서,M은 Ti 또는 Hf이고;R1는 C1-C4의 알킬기이고;R2 및R3는 서로 독립적으로 C1-C6의 알킬기이다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.