초록 ▼

본 발명은 반도체 제조설비에 사용되는 것으로서, 웨이퍼 에지부분의 온도를 효과적으로 제어할 수 있는 대구경의 정전척에 관한 것이다.본 발명은 기본적으로 정전척의 직경을 웨이퍼보다 크게 하여 웨이퍼 에지부분을 정전척 상부면에 접촉되도록 하는 한편, 웨이퍼로부터 확장되는 정전척 상부면 가장자리부분은 적절하게 커버링하여 공정 중 노출되는 부분을 최소화시킨 새로운 형태의 정전척을 구현함으로써, 공정 중 웨이퍼 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지할 수 있고, 웨이퍼의 온도 편차를 최소화하여 생산 수율을 증대시킬 수 있는 대구경 정전척을 제

본 발명은 반도체 제조설비에 사용되는 것으로서, 웨이퍼 에지부분의 온도를 효과적으로 제어할 수 있는 대구경의 정전척에 관한 것이다.본 발명은 기본적으로 정전척의 직경을 웨이퍼보다 크게 하여 웨이퍼 에지부분을 정전척 상부면에 접촉되도록 하는 한편, 웨이퍼로부터 확장되는 정전척 상부면 가장자리부분은 적절하게 커버링하여 공정 중 노출되는 부분을 최소화시킨 새로운 형태의 정전척을 구현함으로써, 공정 중 웨이퍼 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지할 수 있고, 웨이퍼의 온도 편차를 최소화하여 생산 수율을 증대시킬 수 있는 대구경 정전척을 제공한다.

대표청구항 ▼

공정 대상물인 웨이퍼(W)의 직경에 비해 웨이퍼(W)가 올려지는 정전척 몸체(10)의 상부면 직경이 크게 형성되어 있고, 상기 정전척 몸체(10)의 가장자리 둘레를 따라 설치되는 에지링(15)의 내주부분(17)이 전 둘레에 걸쳐 내측으로 연장되게 형성되는 동시에 이때의 내측으로 연장된 에지링(15)의 내주부분(17)이 정전척 몸체(10)의 상부면 가장자리 부분을 덮을 수 있도록 되어 있으며, 상기 에지링(15)과 웨이퍼(W) 간의 경계부위에 해당하는 정전척 몸체(10)의 상부면 위치에는 세라믹 코팅층(18)이 형성되는 구조로 이루어

공정 대상물인 웨이퍼(W)의 직경에 비해 웨이퍼(W)가 올려지는 정전척 몸체(10)의 상부면 직경이 크게 형성되어 있고, 상기 정전척 몸체(10)의 가장자리 둘레를 따라 설치되는 에지링(15)의 내주부분(17)이 전 둘레에 걸쳐 내측으로 연장되게 형성되는 동시에 이때의 내측으로 연장된 에지링(15)의 내주부분(17)이 정전척 몸체(10)의 상부면 가장자리 부분을 덮을 수 있도록 되어 있으며, 상기 에지링(15)과 웨이퍼(W) 간의 경계부위에 해당하는 정전척 몸체(10)의 상부면 위치에는 세라믹 코팅층(18)이 형성되는 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 대구경 정전척.