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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2012-0037647 (2012-04-11) | |
공개번호 | 10-2013-0115059 (2013-10-21) | |
등록번호 | 10-1355816-0000 (2014-01-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120037647 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-04-11) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 제조 과정에서 발생되는 폐실리콘 슬러지로부터 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법을 통해 실리콘 슬러지에 포함되어 있는 유분, 철분, 실리콘카바이드를 제거하고 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수 할 수 있으며, 특정성분의 침출을 위해 첨가물을 투여하거나 철분을 제거하기 위해 자력선별기 등 별도의 장치를 요구하지 않으면서도 높은 효율로 실리콘을 회수할 수 있다.
(a) 반도체 제조 과정에서 발생되는 실리콘 슬러지를 증류하여 유분을 제거하는 증류단계;(b) 증류단계를 마친 실리콘 슬러지를 증류수에 분산시켜 실리콘 슬러지 용액을 제조하는 단계;(c) 상기 실리콘 슬러지 용액을 초음파처리 하는 단계;(d) 초음파처리를 마친 실리콘 슬러지 용액을 원심분리하여 상분리하는 단계; 및(e) 상기 상분리된 실리콘 슬러지 용액에서 실리콘입자를 회수하는 회수단계;를 포함하며,상기 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 회수율이 35 내지 90%인실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법.
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