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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0104796 (2012-09-20) | |
등록번호 | 10-1318939-0000 (2013-10-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120104796 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-09-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 실리콘 나노입자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 제조방법은 종래의 제조방법보다 단순하고 경제적으로 실리콘 나노입자를 제조할 수 있으며, 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 실리콘 나노입자는 크기가 작고 균일하여 실리콘 박막 형성 시 우수한 전기특성을 가진다.
a) 탈이온수에서 실리콘 전구체로 SiSx ( 1≤x≤2 )와 산을 반응시켜 실리콘나노입자에 실리콘 산화물이 코팅된 코어-쉘 구조의 실리콘 나노입자-실리콘 산화물을 제조하는 단계; 및b)상기 실리콘 나노입자-실리콘 산화물을 에칭하여 실리콘 나노입자를 제조하는 단계;를 포함하는 실리콘 나노입자의 제조방법.
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