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[한국특허] 웨이퍼 표면 처리 방법
WAFER SURFACE PROCESSING METHOD 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/306
출원번호 10-2012-7005066 (2012-02-27)
공개번호 10-2012-0041770 (2012-05-02)
등록번호 10-1468877-0000 (2014-11-28)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2009-175226 (2009-07-28)
국제출원번호 PCT/JP2010/004775 (2010-07-27)
국제공개번호 WO 2011/013356 (2011-02-03)
번역문제출일자 2012-02-27
DOI http://doi.org/10.8080/1020127005066
발명자 / 주소
  • 오쿠치, 시게루 / 일본******* 도쿄토 미나토쿠 시바우라 *초메 *반 *고 가부시키가이샤 사무코 (내)
  • 시토, 히로아키 / 일본 ******* 도쿄토 미나토쿠 시바우라 *초메 *반 *고 가부시키가이샤 사무코 (내)
  • 쿠로카미, 모토이 / 일본 ******* 도쿄토 미나토쿠 시바우라 *초메 *반 *고 가부시키가이샤 사무코 (내)
출원인 / 주소
  • 가부시키가이샤 사무코 / 일본국 도쿄토 미나토쿠 시바우라 *초메 *반 *고
대리인 / 주소
  • 특허법인 남앤드남
심사청구여부 있음 (2012-02-27)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

화학처리를 수반하는 웨이퍼 표면 처리 방법에 있어서, 종래의 습식 처리 등, 확산율속형(擴散律速型) 처리에 의한 표면 처리에서 문제시되어 왔던 반응 편차를 효과적으로 억제하여, 표면성상이 우수한 웨이퍼를 제공하는 것을 목적으로 한다.화학처리를 수반하는 웨이퍼 표면 처리 방법으로서, 상기 화학처리가, 반응율속형 처리 공정과, 상기 반응율속형 처리 공정에 이어지는 확산율속형 처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

화학처리를 수반하는 웨이퍼 표면 처리 방법으로서, 상기 화학처리가, 단일의 표면 처리제를 이용한 표면 처리 공정 또는 복수의 표면 처리제를 이용한 표면 처리 공정을 포함하는 반응율속형 처리 공정(reaction controlled process)과, 상기 반응율속형 처리 공정에 이어지는 확산율속형 처리 공정(diffusion controlled process)을 구비하며,상기 반응율속형 처리 공정은, 산화 처리와 상기 산화 처리에 이어지는 환원 처리로 이루어지는 기상(氣相)반응 처리 공정이며,상기 확산율속형 처리 공정이, 액상(液相

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. [한국] 반도체 웨이퍼와 같은 작업편을 가공하는 공정 및 장치 | 버그맨에릭제이., 미그넌피.헤스
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  2. [일본] METHOD OF CLEANING WAFER | AISAKA TSUTOMU
    상세보기
  3. [미국] Method of manufacturing epitaxial silicon wafer | Hayashida,Koichiro, Narahara,Kazuhiro, Kato,Hirotaka
    상세보기
  4. [일본] METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER | KATO TADAHIRO
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  5. [일본] SUBSTRATE CLEANING DEVICE | MURAOKA YUSUKE
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