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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0047294 (2013-04-29) | |
등록번호 | 10-1397132-0000 (2014-05-13) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130047294 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-04-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 AlN(질화알루미늄) 기판의 상하면에 Mo(몰리브덴) 재질의 접점단자가 소정 깊이만큼 삽입되어 AlN 기판과 함께 소결 처리되는 제1단계와, AlN 기판의 상하면에 각각 도전성 필름이 증착되어 필름층이 형성되는 제2단계와, AlN 기판의 상하면에 증착된 필름층이 포토에칭(photoetching) 공정에 의해 전극패턴층이 각각 형성되는 제3단계와, 전극패턴층이 형성된 AlN 기판의 상하면에 분말형태의 AlN이 충진되어 AlN 기판에 소결 처리되는 제4단계와, AlN 기판의
a) AlN(질화알루미늄) 기판(100)의 상하면에 Mo(몰리브덴) 재질의 접점단자(110)가 소정 깊이만큼 삽입되어 상기 AlN 기판(100)과 함께 소결 처리되는 제1단계;b) 상기 AlN 기판(100)의 상하면에 각각 도전성 필름이 증착되어 필름층이 형성되는 제2단계;c) 상기 AlN 기판(100)의 상하면에 증착된 상기 필름층이 포토에칭(photoetching) 공정에 의해 전극패턴층이 각각 형성되는 제3단계;d) 상기 전극패턴층이 형성된 상기 AlN 기판(100)의 상하면에 분말형태의 AlN이 충진되어 상기 AlN 기판(1
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