본 발명은 대면적 정전척의 제조방법에 관한 것으로 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 베이스와 이격되어 SiC, B4C, Si3N4, TiB2,
본 발명은 대면적 정전척의 제조방법에 관한 것으로 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 베이스와 이격되어 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 유전층이 구비되는 제2단계와, 상기 유전층의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제3단계와, 상기 유전층의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 패턴층을 형성하는 제4단계와, 상기 유전층의 상부면 및 유전층의 상부면에 형성된 패턴층을 감싸도록 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은으로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 전극층을 형성하는 제5단계와, 상기 전극층의 상부를 연마하여 패턴층의 상부가 노출되도록 함과 아울러 전극층을 남기고 유전층의 상부에서 패턴층 만을 제거하여 유전층의 상부에 전극층만 남도록 하는 제6단계와, 상기 유전층의 상부면 및 유전층 상부면에 남겨진 전극층을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 절연층을 형성함과 아울러 절연층의 상부면 평탄도를5~30㎛ 이내로 가공하는 제7단계와, 상기 베이스의 상부면에 본딩을 위한 접착 페이스트 수지 조성물을 살포하여 접착층을 형성하는 제8단계와, 상기 접착층의 상부면에 유전층을 뒤집어서 절연층의 상부면이 마주 닿도록 하여 베이스와 유전층을 접합하는 제9단계와, 상기 전극층에 전압를 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제10단계로 이루어진다.
대표청구항▼
SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1);상기 베이스(10)와 이격되어 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3
SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1);상기 베이스(10)와 이격되어 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 유전층(20)이 구비되는 제2단계(S2);상기 유전층(20)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제3단계(S3);상기 유전층(20)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 패턴층(30)을 형성하는 제4단계(S4);상기 유전층(20)의 상부면 및 유전층(20)의 상부면에 형성된 패턴층(30)을 감싸도록 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은으로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 전극층(40)을 형성하는 제5단계(S5);상기 전극층(40)의 상부를 연마하여 패턴층(30)의 상부가 노출되도록 함과 아울러 전극층(40)을 남기고 유전층(20)의 상부에서 패턴층(30) 만을 제거하여 유전층(20)의 상부에 전극층(40)만 남도록 하는 제6단계(S6);상기 유전층(20)의 상부면 및 유전층(20) 상부면에 남겨진 전극층(40)을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 절연층(50)을 형성함과 아울러 절연층(50)의 상부면 평탄도를5~30㎛ 이내로 가공하는 제7단계(S7);상기 베이스(10)의 상부면에 본딩을 위한 접착 페이스트 수지 조성물(62)을 살포하여 접착층(60)을 형성하는 제8단계(S8);상기 접착층(60)의 상부면에 유전층(20)을 뒤집어서 절연층(50)의 상부면이 마주 닿도록 하여 베이스(10)와 유전층(20)을 접합하는 제9단계(S9);상기 전극층(40)에 전압를 공급하는 커넥터(70)를 연결하여 구비하는 제10단계(S10)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대면적 정전척의 제조방법.
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