다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
|---|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
|
|
| 출원번호 | 10-2013-0126440 (2013-10-23) | |
| 공개번호 | 10-2014-0078534 (2014-06-25) | |
| 등록번호 | 10-2215341-0000 (2021-02-05) | |
| 우선권정보 | 대한민국(KR) 1020120147494 (2012-12-17) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020130126440 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
|
|
| 대리인 / 주소 |
|
|
| 심사청구여부 | 있음 (2018-10-22) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명에서는 우수한 열 안정성을 가져 고온공정에 유리하고, 그로인해 높은 생산성과 함께, 미세화 공정에서 발생하는 문제를 해결할 수 있으며, 액체 상태로 존재하여 높은 휘발성 및 충분한 증기압을 가져 화학 증착, 특히 유기금속 화학증착(MOCVD; metal-organic chemical vapor deposition)이나 원자층 증착(ALD; atomic layer deposition) 공정을 통한 차세대 DRAM용 박막 형성에 유용한, 하기 화학식 1의 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막이 제공된다:[화학식
하기 화학식 1의 금속 전구체:[화학식 1]상기 화학식 1에서, M는 Zr, Hf 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되고,Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 NRaRb 또는 -ORc이고,Xc는 -(NRd)- 또는 -O-이고, Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고, R은 각각 독집적으로 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이며, 그리고 m은 0 내지 4의 정수이다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.