초록

반도체 장치에 적용되는 세정 조성물이 제공된다. 상기 세정 조성물은 반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 물질 패턴에 적용되는 습식 식각 공정의 에천트(etchant)로써, 총 100 중량% 내에 10 내지 20 중량% 의 하이드록실 아민(hydroxylamine), 5 내지 20 중량% 의 하이드라진 하이드레이트(hydrazine hydrate), 10 내지 30 중량% 의 유기 용매와, 물을 포함한다.

대표청구항 ▼

반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 상기 물질 패턴에 적용되는 습식 식각 공정의 에천트(etchant)로써,총 100 중량% 내에 10 내지 20 중량% 의 하이드록실 아민(hydroxylamine), 5 내지 20 중량% 의 하이드라진 하이드레이트(hydrazine hydrate), 10 내지 30 중량% 의 유기 용매, 0.001 내지 0.1 중량% 의 계면 활성제, 및 물을 포함하되,상기 물질막은 다층 구조로 이루어져서 상기 다층 구조에 마그네슘 옥사이드(MgO)를 포함하고

반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 상기 물질 패턴에 적용되는 습식 식각 공정의 에천트(etchant)로써,총 100 중량% 내에 10 내지 20 중량% 의 하이드록실 아민(hydroxylamine), 5 내지 20 중량% 의 하이드라진 하이드레이트(hydrazine hydrate), 10 내지 30 중량% 의 유기 용매, 0.001 내지 0.1 중량% 의 계면 활성제, 및 물을 포함하되,상기 물질막은 다층 구조로 이루어져서 상기 다층 구조에 마그네슘 옥사이드(MgO)를 포함하고,상기 계면 활성제는 암모늄 플루오르알킬 술폰 이미드, CnF2n+1CH2CH2SO3-NH4+, CnF2n+1CH2CH2SO3H, (CnF2n+1CH2CH2O)xPO(ONH4+)y(OCH2CH2OH)z, CnF2n+1CH2CH2O(OCH2CH2OH)xH, CnF2n+1SO2N(C2H5)(CH2CH2)xH, CnF2n+1CH2CH2OCH2(OH)CH2CH2N(CnF2n+1)2, 및 CnF2n+1CH2CH2OCH2(OCH2CH2)nCH2CH2N(CnF2n+1)2 중 적어도 하나를 포함하되,상기 n 은 1 내지 20 의 정수이고, 상기 x, y 및 z 은 x + y + z = 3을 만족하는 세정 조성물.