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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0128024 (2013-10-25) | |
공개번호 | 10-2015-0047933 (2015-05-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130128024 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-10-25) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 LCD(Liquid Crystal Display) 기판 등의 세정 시 정전기적 전하에 따른 재오염 및 손상을 방지하면서 반도체 디바이스의 특성 및 수율에 치명적인 영향을 미치는 오염물을 효과적으로 제거하기 위한 마이크로 나노 버블을 이용한 반도체 세정 방법에 관한 것으로, (a) 초순수(DeIonize water)를 공급하기 위한 단계; (b) 상기 단계 (a)로부터 공급된 초순수를 마이크로 나노 버블로 만드는 단계; 및 (c) 상기 단계 (b)에서 생성된 마이크로 나노버블을 세정 대상체로 공급하여 상
(a) 초순수(DeIonize water)를 공급하기 위한 단계;(b) 상기 단계 (a)로부터 공급된 초순수를 마이크로 나노 버블로 만드는 단계; 및 (c) 상기 단계 (b)에서 생성된 마이크로 나노버블을 세정 대상체로 공급하여 상기 세정 대상체를 세정하는 단계를 포함하는 마이크로 나노 버블을 이용한 반도체 세정 방법.
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