최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2013-0133910 (2013-11-06) | |
등록번호 | 10-1493944-0000 (2015-02-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130133910 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2013-11-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 기법을 활용한 금속재료의 풀림 열처리 시 미세조직의 재결정율 정량화에 관한 것이다.본 발명에 따른 재결정율 측정 방법은 (a) 재결정 여부의 판단 기준인 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값을 구하는 단계와, (b)전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 맵에서 결정립으로 인식되는 최소유효결정립 크기(effective minimun diame
재결정화율을 측정하는 방법으로서, (a) 재결정 여부의 판단 기준인 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값을 구하는 단계와,(b) 전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 맵에서 결정립으로 인식되는 최소유효결정립 크기(effective minimun diameter, EMD)를 구하는 단계와, (c) 상기 전자후방산란회절 맵에서 최소유효결정립 크기 이상인 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값을 구하는 단계와,(d) 측정된 결정립들의 결정립내방위퍼짐
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.