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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2014-0003344 (2014-01-10) | |
| 공개번호 | 10-2015-0083605 (2015-07-20) | |
| 등록번호 | 10-2190370-0000 (2020-12-07) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020140003344 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2018-12-17) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
도전 패턴의 형성 방법에 있어서, 기판 상에 금속 질화물을 포함하는 제1 도전막 및 금속을 포함하는 제2 도전막을 형성한다. 인산, 질산, 보조 산화제 및 여분의 물을 포함하며, 금속 질화물 및 금속에 대해 동일한 식각속도를 갖는 식각액 조성물을 사용하여 제1 도전막 및 제2 도전막을 습식 식각한다. 식각액 조성물에 의해 균일한 식각면을 갖는 도전 패턴을 형성할 수 있다.
기판 상에 실리콘 산화물을 사용하여 개구부를 포함하는 절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 절연막 패턴의 표면 및 상기 개구부의 내벽을 따라 티타늄 질화물을 포함하는 제1 도전막을 형성하는 단계; 상기 제1 도전막 상에서 상기 개구부를 채우며 텅스텐을 포함하는 제2 도전막을 형성하는 단계; 및50 내지 80중량%의 인산, 5 내지 20중량%의 질산, 0.01 내지 10중량%의 보조 산화제 및 여분의 물을 포함하며, 금속 질화물 및 금속에 대해 동일한 식각속도를 갖는 식각액 조성물을 사용하여 상기 제1 도전막 및 상기 제2 도전막을 습식
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