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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2016-0170557 (2016-12-14) | |
| 공개번호 | 10-2018-0069185 (2018-06-25) | |
| 등록번호 | 10-2680736-0000 (2024-06-27) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020160170557 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2021-12-08) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
기판 가공 방법 및 접착층 세정 조성물이 제공된다. 실시예들에 따르면, 기판 가공 방법은 접착층이 부착된 반도체 기판을 준비하는 것; 상기 접착층을 상기 반도체 기판으로부터 제거하는 것; 및 상기 반도체 기판 상에 세정 조성물을 가하여, 상기 접착층의 잔여물을 제거하는 것을 포함할 수 있다. 상기 세정 조성물은 케톤 화합물을 포함하는 용매 40wt%이상 내지 90wt%미만; 4차 암모늄염; 및 1차 아민을 포함할 수 있다.
접착층이 부착된 반도체 기판을 준비하는 것;상기 접착층을 상기 반도체 기판으로부터 제거하는 것; 및 상기 반도체 기판 상에 세정 조성물을 가하여, 상기 접착층의 잔여물을 제거하는 것을 포함하되, 상기 세정 조성물은: 케톤 화합물을 포함하는 용매 40wt%이상 내지 90wt%미만; 4차 암모늄염; 및 1차 아민을 포함하며,상기 4차 암모늄 염 및 상기 1차 아민의 합은 상기 세정 조성물의 1wt% 내지 30wt%이며,상기 4차 암모늄 염 대 상기 1차 아민의 중량비는 3:1 내지 1:3인 기판 가공 방법.
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