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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0031143 (2014-03-17) | |
공개번호 | 10-2015-0108475 (2015-09-30) | |
등록번호 | 10-1577656-0000 (2015-12-09) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140031143 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-03-17) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 베이스 부재를 제공하는 단계; 상기 베이스 부재의 상부에 크로메이트층을 형성하는 단계; 상기 크로메이트층의 상부에 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막 패턴을 포함하는 상기 크로메이트층의 상에 금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막 패턴을 제거하는 단계; 상기 포토레지스트막 패턴이 제거되고, 상기 크로메이트층의 상부에 금속 전극 패턴을 포함하는 상기 베이스 부재의 전면(全面)에 경화성 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계를 포함하는 금속
베이스 부재를 제공하는 단계;상기 베이스 부재의 상부에 크로메이트층을 형성하는 단계;상기 크로메이트층의 상부에 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막 패턴을 포함하는 상기 크로메이트층의 상에 금속 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막 패턴을 제거하는 단계;상기 포토레지스트막 패턴이 제거되고, 상기 크로메이트층의 상부에 금속 전극 패턴을 포함하는 상기 베이스 부재의 전면(全面)에 경화성 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계를 포함하는 금속 전극 패턴의 제조방법.
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