초록 ▼

전자 디바이스를 형성하는 방법은 하기를 포함한다: (a) 패턴화될 1개 이상의 층을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 패턴화될 1개 이상의 층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계(상기 포토레지스트 층은 산 불안정한 기를 갖는 단위를 포함하는 매트릭스 폴리머; 광산 발생제; 및 유기 용매를 포함하는 조성물로부터 형성됨); (c) 포토레지스트 층 상에 포토레지스트 오버코트 조성물을 코팅하는 단계(상기 오버코트 조성물은 매트릭스 폴리머; 첨가제 폴리머; 염기성 켄쳐; 및 유기 용매를 포함하고; 상기 첨가제 폴리머는 매

전자 디바이스를 형성하는 방법은 하기를 포함한다: (a) 패턴화될 1개 이상의 층을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 패턴화될 1개 이상의 층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계(상기 포토레지스트 층은 산 불안정한 기를 갖는 단위를 포함하는 매트릭스 폴리머; 광산 발생제; 및 유기 용매를 포함하는 조성물로부터 형성됨); (c) 포토레지스트 층 상에 포토레지스트 오버코트 조성물을 코팅하는 단계(상기 오버코트 조성물은 매트릭스 폴리머; 첨가제 폴리머; 염기성 켄쳐; 및 유기 용매를 포함하고; 상기 첨가제 폴리머는 매트릭스 폴리머의 표면 에너지보다 더 낮은 표면 에너지를 가지며, 그리고 상기 첨가제 폴리머는 상기 오버코트 조성물의 총 고형물을 기준으로 1 내지 20 wt%의 양으로 상기 오버코트 조성물 내에 존재함); (d) 상기 포토레지스트 층을 활성화 방사선에 노출시키는 단계; (e) 상기 기판을 노출후 소성 공정에서 가열하는 단계; 및 (f) 상기 노출된 필름을 유기 용매 현상액으로 현상하는 단계. 본 방법은 반도체 제조 산업에서 특별한 적용가능성을 갖는다.

대표청구항 ▼

(a) 패턴화될 하나 이상의 층을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 패턴화될 하나 이상의 층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;(c) 상기 포토레지스트 층 상에 포토레지스트 오버코트 조성물을 코팅하는 단계;(d) 상기 포토레지스트 층을 활성화 방사선에 노광시키는 단계; (e) 상기 기판을 노광후 소성 공정에서 가열하는 단계; 및(f) 상기 노광된 필름을 유기 용매 현상액으로 현상하는 단계;를 포함하며,여기서, 상기 포토레지스트 층은 산 불안정성 기를 갖는 단위를 포함하는 매트릭스 폴리머; 광산 발생제; 및 유기

(a) 패턴화될 하나 이상의 층을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 패턴화될 하나 이상의 층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;(c) 상기 포토레지스트 층 상에 포토레지스트 오버코트 조성물을 코팅하는 단계;(d) 상기 포토레지스트 층을 활성화 방사선에 노광시키는 단계; (e) 상기 기판을 노광후 소성 공정에서 가열하는 단계; 및(f) 상기 노광된 필름을 유기 용매 현상액으로 현상하는 단계;를 포함하며,여기서, 상기 포토레지스트 층은 산 불안정성 기를 갖는 단위를 포함하는 매트릭스 폴리머; 광산 발생제; 및 유기 용매;를 포함하는 조성물로부터 형성되고,상기 포토레지스트 오버코트 조성물은 매트릭스 폴리머; 첨가제 폴리머; 염기성 켄쳐(basic quencher); 및 유기 용매를 포함하며, 상기 첨가제 폴리머는 상기 매트릭스 폴리머의 표면 에너지보다 더 낮은 표면 에너지를 가지며, 또한 상기 첨가제 폴리머는, 상기 포토레지스트 오버코트 조성물의 총 고형물을 기준으로, 1 내지 20 wt%의 양으로 상기 포토레지스트 오버코트 조성물 내에 존재하고,상기 매트릭스 폴리머는 불소 및 규소를 함유하지 않고,상기 첨가제 폴리머는 하나 이상의 플루오르화된 및/또는 규소-함유 그룹을 포함하며,상기 매트릭스 폴리머는 상기 첨가제 폴리머와 불혼화성이어서, 상기 첨가제 폴리머가 상기 매트릭스 폴리머로부터 상 분리되어 오버코트 층의 상면으로 이동하는 것을 허용하는,패턴 형성 방법.