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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0034798 (2014-03-25) | |
공개번호 | 10-2015-0111529 (2015-10-06) | |
등록번호 | 10-2303825-0000 (2021-09-13) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140034798 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-03-14) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
반도체 장치에 적용되는 세정 조성물이 제공된다. 상기 세정 조성물은 반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 물질 패턴에 적용되는 습식 식각 공정의 에천트(etchant)로써, 총 100 중량% 내에 10 내지 20 중량% 의 하이드록실 아민(hydroxylamine), 5 내지 20 중량% 의 하이드라진 하이드레이트(hydrazine hydrate), 10 내지 30 중량% 의 유기 용매와, 물을 포함한다.
반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 상기 물질 패턴에 적용되는 습식 식각 공정의 에천트(etchant)로써,총 100 중량% 내에 10 내지 20 중량% 의 하이드록실 아민(hydroxylamine), 5 내지 20 중량% 의 하이드라진 하이드레이트(hydrazine hydrate), 10 내지 30 중량% 의 유기 용매, 0.001 내지 0.1 중량% 의 계면 활성제, 및 물을 포함하되,상기 물질막은 다층 구조로 이루어져서 상기 다층 구조에 마그네슘 옥사이드(MgO)를 포함하고
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