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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0043488 (2014-04-11) | |
등록번호 | 10-1525796-0000 (2015-05-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140043488 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-04-11) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 아날로그 집적회로용 복합 MOSFET에 관한 것으로서, 복합 MOSFET-1은 소스(source, S)쪽은 I/O MOSFET, 드레인(drain, D)쪽은 저전압 MOSFET으로 직렬 연결되어 있고, 게이트(Gate, G)가 두 트랜지스터에 함께 연결되고, 복합 MOSFET-2는 소스(source, S)쪽은 저전압 MOSFET, 드레인(drain, D)쪽은 I/O MOSFET으로 직렬 연결되어 있고, 게이트(Gate, G)가 두 트랜지스터에 함께 연결된다. 본 발명에 따르면, 복합 MOSFET-1을 이용하는 경우, 단일
소스쪽에 입출력 MOSFET의 소스가 연결되고,드레인쪽에 저전압 MOSFET의 드레인이 연결되며,상기 입출력 MOSFET의 드레인과 상기 저전압 MOSFET의 소스가 연결되고,상기 입출력 MOSFET 및 저전압 MOSFET의 게이트가 게이트쪽에 공통 연결되는 아날로그 집적회로용 복합 MOSFET.
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