초록 ▼

고온 플라즈마를 이용한 Ni 나노파우더 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 Ni 나노파우더 제조 방법은 (a) 8000~12000℃의 고온 플라즈마 영역에 Ni 파우더 모재를 투입하여, 고온 플라즈마에 의해 Ni 파우더 모재를 기화시켜 Ni 증기를 형성하는 단계; (b) 상기 Ni 증기를 냉각 가스에 접촉시켜, Ni 파우더를 형성하는 단계; 및 (c) Ni 파우더를 분급하여, 평균입경이 50~100nm이고, 최대 입경과 최소 입경 차이가 100nm 이하인 Ni 나노파우더를 얻는 단계;를 포함하고, 상기 냉각 가스에

고온 플라즈마를 이용한 Ni 나노파우더 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 Ni 나노파우더 제조 방법은 (a) 8000~12000℃의 고온 플라즈마 영역에 Ni 파우더 모재를 투입하여, 고온 플라즈마에 의해 Ni 파우더 모재를 기화시켜 Ni 증기를 형성하는 단계; (b) 상기 Ni 증기를 냉각 가스에 접촉시켜, Ni 파우더를 형성하는 단계; 및 (c) Ni 파우더를 분급하여, 평균입경이 50~100nm이고, 최대 입경과 최소 입경 차이가 100nm 이하인 Ni 나노파우더를 얻는 단계;를 포함하고, 상기 냉각 가스에 불활성 가스와 함께 산소 함유 가스가 유량비로, 1:0.05~1:0.2로 포함되어, 상기 (b) 단계에서 Ni 파우더가 형성되면서 표면에 두께 10~20nm의 NiO층이 형성되는 것을 특징으로 한다.

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