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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0114184 (2014-08-29) | |
공개번호 | 10-2016-0027429 (2016-03-10) | |
등록번호 | 10-1605008-0000 (2016-03-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140114184 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-08-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 OLED의 제조방법에 관한 것으로, 특히 OLED의 투과율을 높이고 소비전력이 향상되거나 화소 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 OLED의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 특징은 상부발광방식 OLED의 제 2 전극을 낮은 면저항을 가지면서도 높은 투과율을 갖는 은(Ag)박막으로 형성하고, 이물에 의해 제 1 전극과 제 2 전극이 서로 접촉되어 통전되면, 산소 분위기 내에서 제 1 및 제 2 전극으로 역바이어스 전압을 인가하여 에이징 처리를 진행함으로써, 이물에 의해 제 1 및 제 2 전극의 접촉이 발생하더라도, 제
a) 기판 상에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; b) 상기 구동 박막트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인전극과 접촉되는 제 1 전극을 형성하는 단계와;c) 상기 제 1 전극 상부로 이물에 의해 상기 제 1 전극을 노출하는 뱅크를 형성하는 단계와; d) 상기 제 1 전극 상부로 유기발광층을 형성하는 단계와; e) 상기 뱅크와 상기 유기발광층 상부로 은(Ag)박막으로 이루어지는 제 2 전극을 형성하는 단계와;f) 상기 제 1 및 제 2 전극으로 역바이어스(reverse bias)를 인가하여, 상기
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