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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0116817 (2014-09-03) | |
공개번호 | 10-2016-0028152 (2016-03-11) | |
등록번호 | 10-1757639-0000 (2017-07-07) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140116817 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-09-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘산화막과 실리콘질화막의 동시 식각에 유용한 에칭액에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 에칭액은 불소화합물, 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 및 물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각 속도 차이를 줄여 균일한 식각이 가능하며, 그 결과 절연막의 패턴 형성시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 형성할 수 있다.
불소화합물;질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물; 및물;을 포함하되,상기 아민계 포화화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인, 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액[화학식 1]상기 식에서, A는 고리내에 2개 이상의 질소원자를 포함하는 탄소수 2 내지 10의 포화 헤테로 고리이며, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 아미노알킬, 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다.
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