최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2016-0144691 (2016-11-01) | |
공개번호 | 10-2018-0047880 (2018-05-10) | |
등록번호 | 10-2242933-0000 (2021-04-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160144691 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2020-10-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 산화물 반도체막 및 실리콘 산화막 식각 조성물에 관한 것으로서, 산화물 반도체막과 실리콘 산화막을 동시에 식각함에 있어서 포토레지스트와 산화물반도체막 계면의 식각 바이어스(bias)를 최소화함으로써, 식각 프로파일을 향상시킬 수 있다.
불화암모늄, 반도체막 식각조절제, 바이어스 조절제 및 물을 포함하며, 상기 바이어스 조절제가 에테르계 화합물, 알코올계 화합물, 아민계 화합물 및 음이온계 화합물로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 식각조절제가 무기산 또는 무기산염이며,상기 에테르계 화합물이 탄소수 2 내지 30의 직쇄, 측쇄 또는 고리형으로 1개 이상의 산소원자를 포함하는 것으로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 알코올계 화합물이 탄소수 2 내지 30의 직쇄, 측쇄 또는 고리형으로 2개 이상의 히드록시기를 포함하는 것으로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 아민계 화합물
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.