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실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/08
  • H01L-021/306
출원번호 10-2014-0116817 (2014-09-03)
공개번호 10-2016-0028152 (2016-03-11)
등록번호 10-1757639-0000 (2017-07-07)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140116817
발명자 / 주소
  • 이명호 / 충청남도 아산시 문화로 ***, ***동 ****호 (모종동, 모종e편한세상아파트)
  • 정태수 / 충청남도 아산시 신창면 서부북로 ***-**, ***호
  • 문재웅 / 충청남도 아산시 남부로 ***, ***동 ****호 (풍기동, 동일하이빌아파트)
  • 김동현 / 강원도 원주시 흥업면 북원로 ****, ***동 ***호 (남원주 두산위브아파트)
  • 강교원 / 인천광역시 남동구 청능대로***번길 *, ***동 ****호 (논현동, 소래풍림아파트)
출원인 / 주소
  • 주식회사 이엔에프테크놀로지 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 ** (공세동)
대리인 / 주소
  • 김애라
심사청구여부 있음 (2014-09-03)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 실리콘산화막과 실리콘질화막의 동시 식각에 유용한 에칭액에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 에칭액은 불소화합물, 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 및 물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각 속도 차이를 줄여 균일한 식각이 가능하며, 그 결과 절연막의 패턴 형성시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 형성할 수 있다.

대표청구항

불소화합물;질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물; 및물;을 포함하되,상기 아민계 포화화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인, 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액[화학식 1]상기 식에서, A는 고리내에 2개 이상의 질소원자를 포함하는 탄소수 2 내지 10의 포화 헤테로 고리이며, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 아미노알킬, 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 실리콘 에칭 방법, 이것에 사용되는 실리콘 에칭액, 및 그 키트 | 요시이 아키코, 이나바 타다시

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 | 황기욱, 고상란, 조연진, 최정민
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