초록

본 발명은 소결 제조된 AlN 히터 표면에 NF3, ClF3 등의 F(플로린) 가스가 포함된 부식성 가스와 반응하지 못하도록 Y2O3, Al2O3,중 어느 하나의 물질로 코팅층을 형성시킨 것이다. 본 발명에 따르면, 소결 제조된 AlN 히터에 대한 오염원인 AlF의 발생을 근본적으로 차단하면서 반도체 제조공정이 수행되도록 함으로써, 히터 특성 변화를 방지하면서도 반도체 제조 효율을 향상시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

소결 제조된 AlN 히터 표면에 NF3, ClF3의 F(플로린) 가스가 포함된 부식성 가스와 반응하지 못하도록 Y2O3, Al2O3 중 어느 하나의 물질로 이루어진 코팅층을 Aerosol deposition(AD)의 앵커링(anchoring) 방식으로 기공 및 균열이 없게 형성시키고, 상기 코팅물질은 고상 파우더(분말)크기는 2, 진공챔버의 진공도는 10Torr, 고상 파우더(분말)의 분사속도는 300m/sec, 캐리어가스는 7L/min, 고상 파우더(분말) 순도는 99.9%인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 세라믹히터 제조방법

소결 제조된 AlN 히터 표면에 NF3, ClF3의 F(플로린) 가스가 포함된 부식성 가스와 반응하지 못하도록 Y2O3, Al2O3 중 어느 하나의 물질로 이루어진 코팅층을 Aerosol deposition(AD)의 앵커링(anchoring) 방식으로 기공 및 균열이 없게 형성시키고, 상기 코팅물질은 고상 파우더(분말)크기는 2, 진공챔버의 진공도는 10Torr, 고상 파우더(분말)의 분사속도는 300m/sec, 캐리어가스는 7L/min, 고상 파우더(분말) 순도는 99.9%인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 세라믹히터 제조방법.