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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0145352 (2014-10-24) | |
공개번호 | 10-2016-0048522 (2016-05-04) | |
등록번호 | 10-2333443-0000 (2021-11-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140145352 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-10-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 멀티 스택 막들(multi-stacked layers)을 식각할 수 있는 식각 가스를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 제조 방법은, 식각 가스를 이용하여 서로 다른 물질들로 이루어진 멀티 스택 막들을 한번에 식각할 수 있다. 또한, 플라즈마 하에서 식각 프로파일을 용이하게 조절할 수 있으므로, 높은 종횡비를 가지면서도 보우와 같은 결함이 적은 리세스를 형성할 수 있다.
기판 상에 적층된 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 형성하는 것; 및하기 화학식 3의 화합물을 포함하는 식각 가스의 플라즈마 하에서, 상기 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 질화막을 식각하여 리세스 영역을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법:[화학식 3].
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