초록 ▼

본 발명의 실시형태들은 기판의 ALE(atomic layer etching)을 위한 방법을 제공한다.일 실시형태에 따르면, 방법은 기판을 제공하는 단계 및 기판을 에칭하기 위해 Hf(hydrogen fluoride) 가스와 붕소 함유 가스에 기판을 노출시키는 단계를 포함한다.다른 실시형태에 따르면, 방법은 금속 산화물 필름을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 금속 산화물 필름 상에 플루오르화 표면 층을 형성하기 위해 HF 가스에 기판을 노출시키는 단계; 및 금속 산화물 필름으로부터 플루오르화 표면 층을 제거하기 위해 붕소 함유 가스에

본 발명의 실시형태들은 기판의 ALE(atomic layer etching)을 위한 방법을 제공한다.일 실시형태에 따르면, 방법은 기판을 제공하는 단계 및 기판을 에칭하기 위해 Hf(hydrogen fluoride) 가스와 붕소 함유 가스에 기판을 노출시키는 단계를 포함한다.다른 실시형태에 따르면, 방법은 금속 산화물 필름을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 금속 산화물 필름 상에 플루오르화 표면 층을 형성하기 위해 HF 가스에 기판을 노출시키는 단계; 및 금속 산화물 필름으로부터 플루오르화 표면 층을 제거하기 위해 붕소 함유 가스에 기판을 노출시키는 단계를 포함한다.노출은 금속 산화물 필름을 더 에칭하기 위해 적어도 1회 반복될 수 있다.

대표청구항

원자 층 에칭(ALE, atomic layer etching)의 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계; 및플라즈마의 부재 하에서 상기 기판을 에칭하기 위해 HF(hydrogen fluoride) 가스 및 붕소 함유 가스에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하고,상기 노출시키는 단계는, 상기 기판을 추가적으로 에칭하기 위해 적어도 1회 반복되는 상기 HF 가스 및 붕소 함유 가스에 대한 교번 노출(alternating exposure)을 포함하는 것인, 원자 층 에칭(ALE)의 방법.

원자 층 에칭(ALE, atomic layer etching)의 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계; 및플라즈마의 부재 하에서 상기 기판을 에칭하기 위해 HF(hydrogen fluoride) 가스 및 붕소 함유 가스에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하고,상기 노출시키는 단계는, 상기 기판을 추가적으로 에칭하기 위해 적어도 1회 반복되는 상기 HF 가스 및 붕소 함유 가스에 대한 교번 노출(alternating exposure)을 포함하는 것인, 원자 층 에칭(ALE)의 방법.