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질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/04
  • H01L-021/306
출원번호 10-2014-0148922 (2014-10-30)
공개번호 10-2016-0050536 (2016-05-11)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140148922
발명자 / 주소
  • 길준잉 / 경기도 광주시 경안천로 ***, ***동 ***호 (송정동, 브라운스톤광주아파트)
  • 방철원 / 서울특별시 강남구 봉은사로**길 *-*, ***호 (삼성동, 글로리 빌)
  • 김학묵 / 서울특별시 강남구 삼성로 ***, **동 ****호 (대치동, 은마아파트)
  • 장용수 / 경기도 군포시 산본로 ***, ***동 ***호 (금정동, 충무아파트)
  • 심금비 / 경기도 용인시 처인구 이동면 이원로 ***, ***호 (라이프타워)
출원인 / 주소
  • 램테크놀러지 주식회사 / 경기도 용인시 처인구 양지면 주북로 ***
대리인 / 주소
  • 박영우
심사청구여부 있음 (2014-10-30)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

질화막 식각 조성물은 80 중량% 내지 90 중량%의 인산, 0.02 중량% 내지 0.1 중량%의 실리콘 원자 및 불소원자의 결합(Si-F 결합)을 포함하는 실리콘-불소 화합물, 및 여분의 물을 포함한다. 실리콘-불소 화합물의 첨가에 의해 높은 질화물 식각비를 획득할 수 있다.

대표청구항

80 중량% 내지 90 중량%의 인산;0.02 중량% 내지 0.1 중량%의 실리콘 원자 및 불소원자의 결합(Si-F 결합)을 포함하는 실리콘-불소 화합물; 및여분의 물을 포함하는 질화막 식각 조성물.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 질화 규소 필름을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법 | 하케트,토마스,비., 헤쳐,쟈크3세
    상세보기

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. [한국] 식각 조성물 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 | 이진우, 김건영, 한훈, 박재완, 이진욱, 임정훈
    상세보기
  2. [한국] 에칭액, 에칭 방법, 및 전자 부품의 제조 방법 | 무라카미 유카코, 히라카와 마사아키, 우에마츠 이쿠오
    상세보기
  3. [한국] 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | 허상훈, 심금비, 변기천, 윤재만, 박정준, 김홍달, 길준잉, 방철원, 김학묵, 박종출, 장용수, 이명완
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