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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0168702 (2014-11-28) | |
공개번호 | 10-2016-0064725 (2016-06-08) | |
등록번호 | 10-1683776-0000 (2016-12-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140168702 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-11-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 개시제를 사용하는 화학기상증착(iCVD) 공정을 이용하여 기판 위에 고분자를 증착 또는 코팅시키는 가스 분리막의 제조방법에 관한 것으로, 혼합된 가스로부터 목표 가스의 분리를 위한 투과율 및 선택도가 탁월한 효과가 있다.
다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 가스 분리막의 제조방법:(a) iCVD 반응기의 단량체 통에 단량체를 넣은 다음, 30~45℃로 가열하고, iCVD 반응기의 개시제통에 개시제를 넣고 상온으로 유지한 후에, 1:1~4:1의 유량비로 단량체와 개시제를 iCVD 반응기에 투입하는 단계;(b) 다공성 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 기판을 상기 반응기의 바닥에 고정시키는 단계; 및(c) 상기 다공성 기판 상에 고분자를 증착시키는 단계,상기 단량체는 2,4,6,8-테트라메틸
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