초록 ▼

그래핀의 성장에 앞서, 전처리를 행한다.전처리는, 배기 장치(99)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서, 샤워 링(57)으로부터 처리 용기(1) 내에 희가스를 도입함과 함께, 샤워 플레이트(59)로부터 처리 용기(1) 내에 환원성 가스 및 질소 함유 가스를 각각 도입한다.이 상태에서, 마이크로파 발생부(35)에서 발생한 마이크로파를, 도파관(47) 및 동축 도파관(49)을 통하여 소정의 모드로 평면 안테나(33)에 유도하고, 평면 안테나(33)의 마이크로파 방사 구멍(33a), 투과판(39)을 통하여 처리 용기(1) 내

그래핀의 성장에 앞서, 전처리를 행한다.전처리는, 배기 장치(99)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서, 샤워 링(57)으로부터 처리 용기(1) 내에 희가스를 도입함과 함께, 샤워 플레이트(59)로부터 처리 용기(1) 내에 환원성 가스 및 질소 함유 가스를 각각 도입한다.이 상태에서, 마이크로파 발생부(35)에서 발생한 마이크로파를, 도파관(47) 및 동축 도파관(49)을 통하여 소정의 모드로 평면 안테나(33)에 유도하고, 평면 안테나(33)의 마이크로파 방사 구멍(33a), 투과판(39)을 통하여 처리 용기(1) 내에 도입한다.이 마이크로파에 의해, 환원성 가스 및 질소 함유 가스를 플라즈마화하여, 웨이퍼(W) 표면의 촉매 금속층에 활성화 처리를 실시한다.

대표청구항 ▼

피처리체 상에 형성된 촉매 금속층 상에 CVD법에 의해 그래핀을 성장시키기 전에 행하는 전처리 방법으로서,상기 촉매 금속층에 환원성 가스와 질소 함유 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 작용시켜 촉매 금속층을 활성화하는 플라즈마 처리 공정을 구비하고,상기 처리 가스는상기 환원성 가스가 수소 가스이고, 상기 질소 함유 가스가 질소 가스인 조합,상기 환원성 가스가 수소 가스이고, 상기 질소 함유 가스가 암모니아 가스인 조합, 또는상기 환원성 가스가 암모니아 가스이고, 상기 질소 함유 가스가 질소 가스인 조합 중 어느 하나를 포함하는

피처리체 상에 형성된 촉매 금속층 상에 CVD법에 의해 그래핀을 성장시키기 전에 행하는 전처리 방법으로서,상기 촉매 금속층에 환원성 가스와 질소 함유 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 작용시켜 촉매 금속층을 활성화하는 플라즈마 처리 공정을 구비하고,상기 처리 가스는상기 환원성 가스가 수소 가스이고, 상기 질소 함유 가스가 질소 가스인 조합,상기 환원성 가스가 수소 가스이고, 상기 질소 함유 가스가 암모니아 가스인 조합, 또는상기 환원성 가스가 암모니아 가스이고, 상기 질소 함유 가스가 질소 가스인 조합 중 어느 하나를 포함하는, 전처리 방법.