초록 ▼

텅스텐 배선 또는 텅스텐 합금 배선의 내부식성이 뛰어나고, 화학기계 연마 공정 후의 반도체 기판 표면, 특히 TEOS막 등의 실리콘 산화막 표면에 잔존하는 실리카나 알루미나 등의 연마 미립자(파티클)의 제거성능이 뛰어난, 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 텅스텐 배선 또는 텅스텐 합금 배선과 실리콘 산화막을 갖는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정의 후공정에서 사용되는 세정제이고, (A) 포스폰산계 킬레이트제, (B) 분자 내에 적어도 1개의 알킬기 혹은 히드록실

텅스텐 배선 또는 텅스텐 합금 배선의 내부식성이 뛰어나고, 화학기계 연마 공정 후의 반도체 기판 표면, 특히 TEOS막 등의 실리콘 산화막 표면에 잔존하는 실리카나 알루미나 등의 연마 미립자(파티클)의 제거성능이 뛰어난, 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 텅스텐 배선 또는 텅스텐 합금 배선과 실리콘 산화막을 갖는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정의 후공정에서 사용되는 세정제이고, (A) 포스폰산계 킬레이트제, (B) 분자 내에 적어도 1개의 알킬기 혹은 히드록실알킬기를 갖는 1급 또는 2급 모노아민, 및 (C) 물을 함유하며, pH가 6 초과 7 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

텅스텐 배선 또는 텅스텐 합금 배선과, 실리콘 산화막을 갖는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정의 후공정에서 사용되는 세정제로서, (A) 포스폰산계 킬레이트제, (B) 일반식 [6]으로 나타내는 1급 모노아민 혹은 일반식 [7]로 나타내는 1급 또는 2급 모노아민, 및 (C) 물을 함유하고, pH가 6 초과 7 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 기판용 세정제.(식 중, R10 및 R11는 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 모노히드록시알킬기를 나타내고, R12는 수소 원자, 탄소수 1~3의 알킬기 또는 탄소수 1~3의 모노히드록시알킬기를

텅스텐 배선 또는 텅스텐 합금 배선과, 실리콘 산화막을 갖는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정의 후공정에서 사용되는 세정제로서, (A) 포스폰산계 킬레이트제, (B) 일반식 [6]으로 나타내는 1급 모노아민 혹은 일반식 [7]로 나타내는 1급 또는 2급 모노아민, 및 (C) 물을 함유하고, pH가 6 초과 7 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 기판용 세정제.(식 중, R10 및 R11는 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 모노히드록시알킬기를 나타내고, R12는 수소 원자, 탄소수 1~3의 알킬기 또는 탄소수 1~3의 모노히드록시알킬기를 나타낸다.)(식 중, R13는 수소 원자 또는 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, R14는 탄소수 1~3의 디히드록시알킬기를 나타낸다.)