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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0021781 (2015-02-12) | |
공개번호 | 10-2016-0099389 (2016-08-22) | |
등록번호 | 10-1650887-0000 (2016-08-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150021781 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-02-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
가스 공급 장치에 저장되어 있는 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 및 중량 중 적어도 하나의 단위 시간에 따른 변화를 나타내는 기울기 데이터를 획득하고, 기 설정된 시간 동안 획득한 기울기 데이터가 가스의 종류, 반도체 공정의 종류 및 가스 공급 장치의 종류에 따라 설정된 기준 기울기에 대응되는지 여부를 판단하여, 기 설정된 시간 동안 획득된 기울기 데이터가 기준 기울기에 대응되는지 여부를 판단한 결과와 이전에 획득된 가스의 압력 및 중량 중 적어도 하나를 기초로 설정된 가스에 대한 오류 패턴을 비교하고, 비교 결과에 기초하여,
반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서,가스 공급 장치에 저장되어 있는 상기 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 및 중량 중 적어도 하나의 단위 시간에 따른 변화를 나타내는 기울기 데이터를 획득하는 단계; 상기 가스의 종류, 상기 반도체 공정의 종류 및 상기 가스 공급 장치의 종류에 따라 결정되는 통계적 분석 방법을 이용하여 기 설정된 시간 동안 획득된 기울기 데이터의 최대값, 최소값, 표준 편차, 평균 값, 제곱 값, 합의 값, 중간값 및 적분값 중 적어도 하나를 포함하는 타겟 데이터를 산출하는 단계;상기 산출된 타겟 데이터가
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