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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0023365 (2015-02-16) | |
공개번호 | 10-2016-0101297 (2016-08-25) | |
등록번호 | 10-1741308-0000 (2017-05-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150023365 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-02-16) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
텅스텐 정광 및 무기산의 혼합물을 pH 4 이하의 범위로 제어하면서 텅스텐 산(H2WO4)을 제조하는 단계; 및 제조된 텅스텐 산(H2WO4)를 350 내지 650℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법과 상기 방법으로 제조된 산화텅스텐 미립자를 제공하며, 이를 통해 순도가 높고 입도가 작으며 균일한 산화텅스텐 미립자를 제조할 수 있으므로, 다양한 분야에서 유용하게 사용 가능하다.
텅스텐 정광 및 무기산의 혼합물을 pH 4 이하의 범위로 제어하면서 텅스텐 산(H2WO4)을 제조하는 단계; 및제조된 텅스텐 산(H2WO4)를 350 내지 650℃에서 열처리하는 단계를 포함하며,제조된 산화텅스텐 미립자는, 평균 입경이 0.38 내지 0.58 ㎛ 범위이고, 하기 수학식 1 및 2의 조건을 만족하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법:[수학식 1]20 ≤ FD1 ≤ 50[수학식 2]25 ≤ FD2 ≤ 50수학식 1 및 2에서,FD1은 직경이 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타내고,FD2는 직경이 1.
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