초록 ▼

본 발명은 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 염기성 용액 처리 연마입자 및 분산제를 포함하는 슬러리 조성물; 및 폴리아크릴산 및 비이온성 고분자를 포함하는 첨가제 조성물;을 포함한다.본 발명에 따른 연마용 슬러리 조성물은, 염기성 용액 처리 연마입자를 포함함으로써 각형의 연마입자를 구형으로 제조하여, 연마입자의 응집을 억제하여 분산성을 높이고, 높은 수준의 연마 속도를 확보하여 효율적인 연마를 가능하게 하면서도, 패턴밀도에 따른 디싱 발생량을 감소시킬 수 있고, 질화막, 산화막, 폴리막의 각각 상이

본 발명은 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 염기성 용액 처리 연마입자 및 분산제를 포함하는 슬러리 조성물; 및 폴리아크릴산 및 비이온성 고분자를 포함하는 첨가제 조성물;을 포함한다.본 발명에 따른 연마용 슬러리 조성물은, 염기성 용액 처리 연마입자를 포함함으로써 각형의 연마입자를 구형으로 제조하여, 연마입자의 응집을 억제하여 분산성을 높이고, 높은 수준의 연마 속도를 확보하여 효율적인 연마를 가능하게 하면서도, 패턴밀도에 따른 디싱 발생량을 감소시킬 수 있고, 질화막, 산화막, 폴리막의 각각 상이한 막질에서 선택적으로 연마 제어가 가능하다.

대표청구항 ▼

염기성 용액 처리 연마입자 및 분산제를 포함하는 슬러리 조성물; 및폴리아크릴산 및 비이온성 고분자를 포함하는 첨가제 조성물;을 포함하고,상기 염기성 용액 처리 연마입자의 밀링 전 BET 비표면적은, 7 m2/G 이하이고,상기 염기성 용액 처리 연마입자의 1차 입자 크기는, 40 nm 내지 100 nm이고, 2차 입자 크기는 60 nm 내지 150 nm이고,반도체 소자의 얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서, 산화막 영역에서 디싱 발생량이 300 Å이고, 연마 대상막은 산화막, 질화막

염기성 용액 처리 연마입자 및 분산제를 포함하는 슬러리 조성물; 및폴리아크릴산 및 비이온성 고분자를 포함하는 첨가제 조성물;을 포함하고,상기 염기성 용액 처리 연마입자의 밀링 전 BET 비표면적은, 7 m2/G 이하이고,상기 염기성 용액 처리 연마입자의 1차 입자 크기는, 40 nm 내지 100 nm이고, 2차 입자 크기는 60 nm 내지 150 nm이고,반도체 소자의 얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서, 산화막 영역에서 디싱 발생량이 300 Å이고, 연마 대상막은 산화막, 질화막 및 폴리막을 포함하고, 연마 정지막은 질화막인 것인,연마용 슬러리 조성물.