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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0058932 (2015-04-27) | |
등록번호 | 10-1651242-0000 (2016-08-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150058932 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-04-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 플라즈마의 발생을 위해 웨이퍼 안착면에 제1 전극(20)을 매립하고, 플라즈마의 균일도 향상을 위해 제1 전극(20)과 다른 깊이로 제2 전극(30)를 매립하여서, 플라즈마 발생을 위한 RF 전원을 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 간의 커패시턴스 성분에 의해 제2 전극(30)에 인가되게 한 플라즈마 균일도 향상을 위한 웨이퍼 지지체에 관한 것이다.
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