초록 ▼

본 발명은 발광 소자 또는 수광 소자를 포함하는 기판 위에 나노 사이즈의 물질로 네트워크를 형성하고, 네트워크의 일부가 잠기도록 패턴층을 형성한 후, 패턴층에서 네트워크를 형성하는 나노 물질을 제거함으로써, 패턴층에 나노 사이즈의 패턴을 형성하고, 그 위에 금속을 증착한 후 패턴층을 제거함으로써, 기판위에 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 종래의 사진 식각 공정을 이용하는 메탈 메쉬 형성 방법에 비하여 간단한 공정으로 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 소

본 발명은 발광 소자 또는 수광 소자를 포함하는 기판 위에 나노 사이즈의 물질로 네트워크를 형성하고, 네트워크의 일부가 잠기도록 패턴층을 형성한 후, 패턴층에서 네트워크를 형성하는 나노 물질을 제거함으로써, 패턴층에 나노 사이즈의 패턴을 형성하고, 그 위에 금속을 증착한 후 패턴층을 제거함으로써, 기판위에 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 종래의 사진 식각 공정을 이용하는 메탈 메쉬 형성 방법에 비하여 간단한 공정으로 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 소망하는 메탈 메쉬의 선폭에 대응되는 폭을 갖는 나노 물질을 이용함으로써 용이하게 메탈 메쉬의 선폭을 조절할 수 있어, 간단하게 시인성 문제와 모아레(Moire) 현상을 해결 할 수 있다.

대표청구항 ▼

(a) 기판 위에 폭보다 길이가 더 긴 나노 사이즈의 물질(나노 물질)이 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계;(b) 상기 네트워크의 일부가 잠기도록 상기 기판위에 패턴층을 형성하는 단계;(c) 상기 네트워크를 제거하여 상기 패턴층에 네트워크에 대응되는 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 기판위에 메탈을 증착하여 상기 패턴에 대응되는 메탈 메쉬를 형성하는 단계; 및(e) 상기 패턴층을 제거하여 상기 기판위에 상기 메탈 메쉬만을 잔존시키는 단계를 포함하고,상기 나노 물질은 CNT(Carbon Nano Tube)이며, 상기 (c) 단계는

(a) 기판 위에 폭보다 길이가 더 긴 나노 사이즈의 물질(나노 물질)이 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계;(b) 상기 네트워크의 일부가 잠기도록 상기 기판위에 패턴층을 형성하는 단계;(c) 상기 네트워크를 제거하여 상기 패턴층에 네트워크에 대응되는 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 기판위에 메탈을 증착하여 상기 패턴에 대응되는 메탈 메쉬를 형성하는 단계; 및(e) 상기 패턴층을 제거하여 상기 기판위에 상기 메탈 메쉬만을 잔존시키는 단계를 포함하고,상기 나노 물질은 CNT(Carbon Nano Tube)이며, 상기 (c) 단계는 O2 플라즈마 처리방식 또는 산소 열처리 방식을 적용하여, CNT를 제거하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법.