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[한국특허] STI 연마용 슬러리 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-003/14
  • H01L-021/306
출원번호 10-2015-0094837 (2015-07-02)
공개번호 10-2017-0004462 (2017-01-11)
등록번호 10-1761792-0000 (2017-07-20)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150094837
발명자 / 주소
  • 윤영록 / 서울특별시 송파구 잠실로 **, ***동 ****호 (잠실동, 레이크팰리스)
  • 권민석 / 충청북도 진천군 진천읍 장관*길 ***, **동 ****호 (사랑으로부영*차아파트)
  • 서지훈 / 서울특별시 성동구 왕십리로 ***, FTC ***호 (사근동, 한양대학교)
  • 백운규 / 서울특별시 강남구 선릉로 ***, **동 ***호 (대치동, 우성아파트)
  • 윤희성 / 경상북도 포항시 남구 대이로 ***, ***동 ***호 (대잠동, 이동현대홈타운아파트)
  • 김기정 / 경기도 오산시 오산로***번길 **-* (원동)
  • 이강천 / 서울특별시 송파구 올림픽로**길 **, *동 ***호 (신천동, 미성아파트)
  • 조윤성 / 서울특별시 관악구 조원로*길 **, *층 (신림동)
출원인 / 주소
  • 주식회사 케이씨텍 / 경기도 안성시 미양면 제*공단*길 **
  • 한양대학교 산학협력단 / 서울특별시 성동구 왕십리로 ***(행당동, 한양대학교내)
대리인 / 주소
  • 특허법인 무한
심사청구여부 있음 (2015-07-02)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명은 STI 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 STI 연마용 슬러리 조성물은 초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함한다.

대표청구항

초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함하고,얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서, 실리콘질화막 연마율은 25 Å/min 이하이고, 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 연마 선택비가 10 : 1 내지 150 : 1이고,하기의 화학식 1에 의해 계산되는 상기 산화세륨 연마입자 표면의 Ce3+ 함량은 10% 내지 60%인 것인, STI 연마용 슬러리 조성물:[화학식 1]Ce3+ 함량(%)= (Ce3+

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 산화세륨 입자의 제조 방법, 이에 의한 산화세륨 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 | 고석규, 권민석
  2. [일본] CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD | HATTORI MASAYUKI, IKEDA NORIHIKO, NISHIMOTO KAZUO, KAWAHASHI NOBUO, YANO HIROYUKI, ONO TAKATOSHI, TATEYAMA YOSHIKUNI

이 특허를 인용한 특허 (20)

  1. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  2. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  3. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  4. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  5. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  6. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  7. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  8. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  9. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  10. [한국] 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  11. [한국] 연마 조성물의 제조 방법 | 김응철, 김태성
  12. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  13. [한국] 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  14. [한국] 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  15. [한국] 신규한 세륨계 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 조성물 | 이정규, 장효준, 황준하
  16. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  17. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  18. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  19. [한국] 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 | 이정호, 김석주
  20. [한국] 슬러리 및 연마 방법 | 노무라 사토유키, 이와노 도모히로, 마쓰모토 다카아키, 하세가와 도모야스, 구키타 도모미
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