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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0094837 (2015-07-02) | |
공개번호 | 10-2017-0004462 (2017-01-11) | |
등록번호 | 10-1761792-0000 (2017-07-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150094837 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-07-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 STI 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 STI 연마용 슬러리 조성물은 초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함한다.
초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함하고,얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서, 실리콘질화막 연마율은 25 Å/min 이하이고, 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 연마 선택비가 10 : 1 내지 150 : 1이고,하기의 화학식 1에 의해 계산되는 상기 산화세륨 연마입자 표면의 Ce3+ 함량은 10% 내지 60%인 것인, STI 연마용 슬러리 조성물:[화학식 1]Ce3+ 함량(%)= (Ce3+
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