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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0108694 (2015-07-31) | |
공개번호 | 10-2017-0014797 (2017-02-08) | |
등록번호 | 10-2309884-0000 (2021-09-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150108694 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-07-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하고 p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 활성층을 포함하고, 상기 애노드 또는 상기 캐소드와 상기 활성층의 에너지 장벽은 1.3eV 이상이고, 상기 p형 반도체의 HOMO 에너지 준위와 상기 n형 반도체의 LUMO 에너지 준위의 차이는 0.8eV 이상인 유기광검출기 및 이를 포함하는 이미지센서에 관한 것이다.
서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하고 p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 활성층을 포함하고,상기 애노드 또는 상기 캐소드와 상기 활성층의 에너지 장벽은 1.3eV 이상이고,여기서 상기 애노드 또는 상기 캐소드와 상기 활성층의 에너지 장벽은 상기 애노드의 일 함수와 상기 p형 반도체의 LUMO 에너지 준위 사이의 에너지 차이 또는 상기 캐소드의 일 함수와 상기 n형 반도체의 HOMO 에너지 준위 사이의 에너지 차이이고,상기 p형 반도체의 HOMO 에너지 준위와 상기 n형 반도체의 LUMO
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