초록 ▼

본 발명은 염소(Cl) 함량이 낮은 하프늄 전구체를 공급하여 실리콘 기판에 증착시켜 전기소자의 전기적 특징을 향상시킨 MOS 커패시터용 전기소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 Hf(EtCp)2Cl2전구체를 이용한 원자층 증착법으로 하프늄 디옥사이드 박막을 증착하는 경우, 종래의 염소 함량이 높게 나타나는 HfCl4를 이용하여 제조한 박막보다 개선된 전기소자를 제조할 수 있었다. 이를 통해 MOS 커패시터 성능이 개선되는 효과가 나타날 수 있으며, 우수한 단차 피복성으로 인하여 다양한 구조의 MOSFET 소자에 적

본 발명은 염소(Cl) 함량이 낮은 하프늄 전구체를 공급하여 실리콘 기판에 증착시켜 전기소자의 전기적 특징을 향상시킨 MOS 커패시터용 전기소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 Hf(EtCp)2Cl2전구체를 이용한 원자층 증착법으로 하프늄 디옥사이드 박막을 증착하는 경우, 종래의 염소 함량이 높게 나타나는 HfCl4를 이용하여 제조한 박막보다 개선된 전기소자를 제조할 수 있었다. 이를 통해 MOS 커패시터 성능이 개선되는 효과가 나타날 수 있으며, 우수한 단차 피복성으로 인하여 다양한 구조의 MOSFET 소자에 적용이 가능하며, 고온의 공정 과정을 진행한 후에도 안정적인 성능 구현이 가능하며, 박막의 오염을 낮추고 누설전류 밀도를 개선하여 ZrO2, TiO2, Ta2O5, La2O3, Y2O3 등의 다른 high-k 물질이나 전이금속 산화물에도 확대 적용이 가능하다.

대표청구항 ▼

(a) 실리콘(Si) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 실리콘(Si) 기판 위에 질소(N)를 함유하지 않는 하프늄 전구체인 Hf(EtCp)2Cl2(bis(ethyl-cyclopentadienyl)hafnium dichloride)를, 산소 플라즈마를 반응 가스로 이용한 원자층 증착법(ALD)을 통해 증착시켜 하프늄 디옥사이드(HfO2) 층을 형성하는 단계; (c) 상기 하프늄 디옥사이드(HfO2) 층이 형성된 기판을 800 내지 1500℃의 온도로 어닐링시키는 단계; 및(d) 상기 하프늄 디옥사이드(HfO2) 층 위에 스퍼터링(Sp

(a) 실리콘(Si) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 실리콘(Si) 기판 위에 질소(N)를 함유하지 않는 하프늄 전구체인 Hf(EtCp)2Cl2(bis(ethyl-cyclopentadienyl)hafnium dichloride)를, 산소 플라즈마를 반응 가스로 이용한 원자층 증착법(ALD)을 통해 증착시켜 하프늄 디옥사이드(HfO2) 층을 형성하는 단계; (c) 상기 하프늄 디옥사이드(HfO2) 층이 형성된 기판을 800 내지 1500℃의 온도로 어닐링시키는 단계; 및(d) 상기 하프늄 디옥사이드(HfO2) 층 위에 스퍼터링(Sputtering)을 통해 루테늄(Ru) 층을 형성하는 단계;를 포함하는,MOS 커패시터용 전기소자의 제조 방법.