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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0160082 (2015-11-16) | |
공개번호 | 10-2017-0056814 (2017-05-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150160082 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물은 하드 베이킹, 플라즈마 에칭 및 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 막질의 부식없이 매우 효과적으로 제거한다. 또한, 생산라인 전단의 공정에서 소오스/드레인 영역을 형성하기 위해서 불순물을 도핑하는 이온주입공정 후 경화된 포토레지스트의 박리공정에도 탁월한 효과를 나타낸다.
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 제4급 암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물; (C) 하기 화학식 3으로 표시되는 비이온성 계면활성제; 및 (D) 알킬렌글리콜계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매를 포함한다.<화학식 1><화학식 2><화학식 3>R10-[(EO)x-(PO)y]z-R11상기 화학식 1 및 화학식 2에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 아미노기로 치환 또는 비치환된 C1-
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