초록

본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물은 하드 베이킹, 플라즈마 에칭 및 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 막질의 부식없이 매우 효과적으로 제거한다. 또한, 생산라인 전단의 공정에서 소오스/드레인 영역을 형성하기 위해서 불순물을 도핑하는 이온주입공정 후 경화된 포토레지스트의 박리공정에도 탁월한 효과를 나타낸다.

대표청구항 ▼

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 제4급 암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물; (C) 하기 화학식 3으로 표시되는 비이온성 계면활성제; 및 (D) 알킬렌글리콜계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매를 포함한다.<화학식 1><화학식 2><화학식 3>R10-[(EO)x-(PO)y]z-R11상기 화학식 1 및 화학식 2에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 아미노기로 치환 또는 비치환된 C1-

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 제4급 암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물; (C) 하기 화학식 3으로 표시되는 비이온성 계면활성제; 및 (D) 알킬렌글리콜계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매를 포함한다.<화학식 1><화학식 2><화학식 3>R10-[(EO)x-(PO)y]z-R11상기 화학식 1 및 화학식 2에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 아미노기로 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고;R3는 직접결합 또는 C1-C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고;R4는 C1-C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고;n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 5이고;R5는 수소, C1-C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소 또는 1 내지 3개의 고리(ring) 구조를 가지는 방향족 탄화수소(aromatic hydrocarbon)이고;R6는 C1-C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소 또는 1 내지 3개의 고리 구조를 가지는 방향족 탄화수소이고;R7 및 R8는 각각 독립적으로 C1-C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고;R9는 수소, 또는 C1~C7의 직쇄형, 분지쇄형 또는 환형의 탄화수소이다.상기 화학식 3에서,EO는 에틸렌옥사이드이고, 상기 PO는 프로필렌옥사이드 또는 메틸프로필렌옥사이드이며, 상기 EO와 PO는 랜덤 부가 또는 2 이상의 블록 부가에 의해 결합되고, 상기 x개의 EO와 y개의 PO의 서열 순서는 임의이며, 상기 x, y 및 z은 각각 독립적으로 1 내지 40의 정수이고, x/(x+y)는 0.1 내지 1 의 정수이며, 상기 R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소원자(-H), 수산기(-OH), 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알케닐기이다.