[특허]식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

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식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	C09K-013/04 C09K-013/06 H01L-021/306
출원번호	10-2015-0178774 (2015-12-15)
공개번호	10-2017-0066180 (2017-06-14)
등록번호	10-2545800-0000 (2023-06-15)
우선권정보	대한민국(KR) 1020150172472 (2015-12-04)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020150178774
발명자 / 주소	임정훈 / 대전광역시 대덕구 송촌로번길 , *호 (송촌동, 공원주택) 이진욱 / 대전광역시 유성구 노은동로번길 (노은동, ) 박재완 / 대구광역시 중구 달구벌대로 *, 동 ***호 (대신동, 대신센트럴자이)
출원인 / 주소	솔브레인 주식회사 / 경기도 성남시 분당구 판교로*번길 (삼평동,솔브레인)
대리인 / 주소	특허법인필앤온지
심사청구여부	있음 (2020-12-09)
심사진행상태	등록결정(재심사후)
법적상태	등록

초록

본 발명은 식각용 조성물 및 이 식각용 조성물을 이용한 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각용 조성물은 제 1 무기산, 아인산(phosphorous acid)을 포함하는 제 1 첨가제, 하기 화학식 300으로 표시되는 알콕시 실란 화합물을 포함하는 제 2 첨가제, 그리고 용매를 포함한다.[화학식 300]상기 식각용 조성물은 산화막의 식각율을 최소화하면서 질화막을 선택적으로 제거할 수 있으며, 소자 특성에 악영향을 미치는 파티클 발생 등의 문제점을 갖지 않는 고선택비의 식각용 조성물이다.

대표청구항 ▼

산화막에 대하여 질화막을 선택적으로 식각하기 위한 식각용 조성물에 있어서,인산,아인산(phosphorous acid)을 포함하는 제 1 첨가제, 하기 화학식 300으로 표시되는 알콕시 실란 화합물을 포함하는 제 2 첨가제, 그리고 용매를 포함하는 식각용 조성물.[화학식 300](상기 화학식 300에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 아미노알콕시기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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