초록 ▼

연구개발 결과
주요연구내용
-최적NF₃ 가스 처리를 위한 경제적인 전자빔 조사(흡수)선량 선정
-최적의 효율을 위한 additive gas 선정
-독성물질 (NF₃) 처리효율 80 % 이상
-처리용량 5,000/20,000 LPM 규모의 (슈퍼)대용량 가스 처리기술 및 설계 인자 도출
주요연구성과
-2,000 LPM급 Pilot 규모 처리시스템 설계 및 제작
-NF₃ 1,000 ppm, 2,000 LPM 조건에서 처리효율 80 %

연구개발 결과
주요연구내용
-최적NF₃ 가스 처리를 위한 경제적인 전자빔 조사(흡수)선량 선정
-최적의 효율을 위한 additive gas 선정
-독성물질 (NF₃) 처리효율 80 % 이상
-처리용량 5,000/20,000 LPM 규모의 (슈퍼)대용량 가스 처리기술 및 설계 인자 도출
주요연구성과
-2,000 LPM급 Pilot 규모 처리시스템 설계 및 제작
-NF₃ 1,000 ppm, 2,000 LPM 조건에서 처리효율 80 % 이상 확보
-최적 운전인자 확보 (kGy, additive gas)
-20,000 LPM 규모 전자빔 처리장치 설계인자확보

Abstract ▼

Ⅳ. Results
The decomposition of NF₃ using only an electron beam, and an electron beam in the presence of additive gases (H₂,O₂,and water vapor), was studied. The results in this study indicate that the decomposition of NF₃ gas is dependent on the total

Ⅳ. Results
The decomposition of NF₃ using only an electron beam, and an electron beam in the presence of additive gases (H₂,O₂,and water vapor), was studied. The results in this study indicate that the decomposition of NF₃ gas is dependent on the total level of absorbed dose and the concentration of H₂, and less dependent on the additive H₂O. Additive O₂ was found to decrease the DRE of NF₃. In summary, hydrogen additive plays a significant role in the DRE of NF₃. The results shown in this present study can be utilized to effectively abate the NF₃ gas from the semiconductor process. Additionally, It was observed that an increase in the concentration of H₂ enhanced the decomposition of NF₃, resulting in a higher formation of HF.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 3
• 요약서 ... 4
• 요약문 ... 7
• SUMMARY ... 11
• 목 차 ... 14
• 표 목 차 ... 17
• 그 림 목 차 ... 19
• 제 1 장 서 론 ... 25
• 제1절 연구개발과제의 개요 ... 27
• 1. 연구개발의 중요성(필요성) ... 27
• 2. 연구개발의 국내외 현황 ... 31
• 가. 국내의 기술개발동향 ... 31
• 나. 해외의 기술개발동향 ... 33
• 3. 연구개발 대상 기술의 차별성 ... 34
• 제2절 연구개발의 목표 및 추진전략 ... 38
• 1. 연구개발의 목표 ... 38
• 가. 연구개발의 최종목표 ... 38
• 나. 연구개발의 연차별 목표 ... 38
• 2. 연구개발의 추진전략체계 및 연구수행방법 ... 39
• 가. 연구개발의 추진전략 ... 39
• 나. 연차별 추진체계 ... 40
• 다. 연차별 연구수행방법 ... 42
• 제 2 장 연구개발 수행내용 및 결과 ... 47
• 제1절 실험장치 제작 및 시스템 구성 ... 49
• 1. 장치구성 ... 49
• 가. 전자빔가속기 ... 49
• 나. 반응기제작 및 시스템 구성 ... 50
• 2. 측정 및 분석방법 ... 59
• 가. 전자빔가속기 ... 59
• 나. 흡수선량 측정방법 ... 62
• 다. Gas Chromatography-Mass Spectrometer ... 67
• 라. Gas Chromatography ... 71
• 마. Ion Chromatography ... 74
• 바. 미세먼지 측정기 ... 79
• 사. 미세먼지 포집기 ... 81
• 아. SEM-EDX ... 83
• 자. 연소가스 분석기 ... 87
• 제2절 연구개발결과 및 토의 ... 90
• 1. 50 LPM급 반도체공정 독성가스 처리시스템 ... 90
• 가. 조사강도(mA)에 따른 NF3 분해효율 ... 90
• 나. 흡수선량(kGy)에 따른 NF3 분해효율 ... 91
• 다. 초기농도(ppm)에 따른 NF3 분해효율 ... 92
• 라. 체류시간(sec)에 따른 NF3 분해효율 ... 93
• 마. 첨가제 주입에 따른 NF3 분해효율 ... 94
• 바. 첨가제주입 농도에 따른 NF3 분해효율 ... 96
• 사. H2 첨가량에 따른 NF3 분해효율과 HF 생성 ... 97
• 2. 500 LPM급 반도체공정 독성가스 처리시스템 ... 98
• 가. 무첨가/H2첨가제 주입시 NF3 분해효율 ... 98
• 나. H2 첨가제 주입농도에 따른 NF3 분해효율 ... 100
• 다. NF3 분해효율과 불화가스 (HF/F2)발생량의 상관관계 ... 102
• 라. NF3 분해효율과 입자상물질(Dust)발생량의 상관관계 ... 105
• 3. 500 LPM급 반도체공정 독성가스 처리시스템 최적 분해효율 ... 118
• 가. 조사강도와 수소첨가제 농도에 따른 분해효율 ... 118
• 나. 조사강도, 수소첨가제, 유량(체류시간)에 따른 분해효율 ... 121
• 4. 2,000 LPM급 반도체공정 독성가스 처리시스템 ... 122
• 가. 무첨가/H2첨가제 주입시 NF3 분해효율 ... 122
• 5. 5,000/20,000 LPM급 반도체공정 독성가스 처리시스템 설계 ... 125
• 가. 흡수선량 ... 125
• 나. 전자빔가속기 출력 ... 126
• 다. 첨가제 주입농도 ... 127
• 6. 전자빔 독성가스 처리시스템 경제성 평가 ... 128
• 가. 전자빔 처리시스템과 촉매식 처리시스템의 설치 및 운전비용 비교 ... 128
• 제 3 장 목표 달성도 및 관련분야 기여도 ... 133
• 제1절 연도별 연구개발목표의 달성도 ... 135
• 제2절 관련분야의 기술발전 기여도(환경적 성과 포함) ... 137
• 제 4 장 연구개발결과의 활용계획 ... 141
• 제1절 연구개발 결과의 활용계획 ... 143
• 제 5 장 참고문헌 ... 149
• 국내문헌 ... 151
• 국외문헌 ... 152
• (부 록) ... 155
• <부 록 1> MEL 사용자 매뉴얼 ... 157
• <부 록 2> 지침서, 안내서, 핸드북 등 ... 157
• 끝페이지 ... 161