초록 ▼

(과제) 전위 밀도의 분포가 실질적으로 균일한 GaN 결정으로 이루어지는 GaN 기판을, 복잡한 공정을 이용하는 일 없이 간단하게 저비용으로, 또한 고수율로 제조할 수 있는 기술을 제공한다.(해결 수단) 단결정 기판의 내부에 레이저를 조사하여, 단결정 기판의 내부에 어모퍼스 부분을 형성하고, 다음으로, 단결정 기판의 편면(片面)에 GaN 결정을 형성하여 GaN 기판을 제작한다.제작된 GaN 기판의 표면의 전체면에 걸친 전위 밀도의 분포는, 실질적으로 균일하다.어모퍼스 부분은 단결정 기판의 평면 방향에 대하여 직선 형상의 복수의 패턴

(과제) 전위 밀도의 분포가 실질적으로 균일한 GaN 결정으로 이루어지는 GaN 기판을, 복잡한 공정을 이용하는 일 없이 간단하게 저비용으로, 또한 고수율로 제조할 수 있는 기술을 제공한다.(해결 수단) 단결정 기판의 내부에 레이저를 조사하여, 단결정 기판의 내부에 어모퍼스 부분을 형성하고, 다음으로, 단결정 기판의 편면(片面)에 GaN 결정을 형성하여 GaN 기판을 제작한다.제작된 GaN 기판의 표면의 전체면에 걸친 전위 밀도의 분포는, 실질적으로 균일하다.어모퍼스 부분은 단결정 기판의 평면 방향에 대하여 직선 형상의 복수의 패턴으로 형성되고, 각 패턴 간의 피치가 0.5㎜인 경우는, 단결정 기판의 체적에 대하여 어모퍼스 부분의 총 체적이 차지하는 체적비는 0.10％ 또는 0.20％이며, 각 패턴 간의 피치가 1.0㎜인 경우는, 단결정 기판의 체적에 대하여 어모퍼스 부분의 총 체적이 차지하는 체적비는 0.05％ 또는 0.10％이다.

대표청구항

GaN 결정으로 이루어지는 GaN 기판이며,상기 GaN 기판의 표면의 전체면에 걸친 전위 밀도의 분포가, 실질적으로 균일한 것을 특징으로 하는 GaN 기판.

GaN 결정으로 이루어지는 GaN 기판이며,상기 GaN 기판의 표면의 전체면에 걸친 전위 밀도의 분포가, 실질적으로 균일한 것을 특징으로 하는 GaN 기판.