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연합인증

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포토레지스트 제거용 박리액 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-007/42
  • C11D-007/32
출원번호 10-2016-0007911 (2016-01-22)
공개번호 10-2017-0088048 (2017-08-01)
등록번호 10-2414295-0000 (2022-06-24)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160007911
발명자 / 주소
  • 김민희 / 충청남도 태안군 태안읍 원이로 *-** 충청남도 아산시 신창면 서부북로 ***-** ((주)이엔에프테크놀로지사원주택)
  • 임찬규 / 서울특별시 강남구 삼성로**길 **-* (대치동), ***
  • 임현태 / 경상북도 상주시 은척면 황령마점길 **-**
  • 정현철 / 충청남도 아산시 신창면 서부북로 ***-** ((주)이엔에프테크놀로지사원주택)
  • 이상대 / 경기도 화성시 동탄반석로 ** (반송동, 솔빛마을경남아너스빌아파트) ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 주식회사 이엔에프테크놀로지 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 ** (공세동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 플러스
심사청구여부 있음 (2020-06-01)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 포토레지스트 제거용 박리액 조성물은 환경과 인체에 유해한 N-메틸포름아미드(N-methylforamide; NMF), N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone; NMP)을 주용매로 사용하지 않고도, 건식 또는 습식 에칭 후에도 변성된 포토레지스트를 신속하게 박리시킬 수 있으며, 기판 상에 이물 및 얼룩이 잔류하지 않아 공정상 효율성을 현저히 증가시킬 수 있는 장점이 있다.또한, 하부막 부식 역시 최소화하여 공정상 효율성을 현저히 증가시킬 수 있는 장점이 있다.

대표청구항

N-에틸포름아마이드 10 내지 80중량%, 아민화합물 1 내지 30중량% 및 양자성 극성 용매 10 내지 80 중량%를 포함하고,상기 아민화합물은 모노에탄올 아민(MEA), 모노이소프로판올아민(MIPA), 디에탄올 아민(DEA) 및 트리에탄올 아민(TEA)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 포토레지스트 제거용 박리액 조성물.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 | 홍선영, 서남석, 박홍식, 이상대, 박영진, 정종현, 김봉균, 이병진
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