초록 ▼

나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서, 제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비한 후, 상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성한다. 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성한 후, 상기 예비 레지스트층 패턴

나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서, 제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비한 후, 상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성한다. 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성한 후, 상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노 박막의 상면을 노출시키는 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴을 각각 형성한다. 상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 나노 박막을 식각하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성한다.

대표청구항 ▼

제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비하는 단계;상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성하는 단계; 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성하는 단계;상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노

제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비하는 단계;상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성하는 단계; 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성하는 단계;상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노 박막의 상면을 노출시키는 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴을 각각 형성하는 단계; 및상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 나노 박막을 식각하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 스페이서 재료층은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정을 통해 형성되고,상기 희생층은 지용성 고분자 및 수용성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.