초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 식각 방법 및 이의 제조 장치에 관한 것으로서, 상기 반도체 소자의 식각 방법은 무기산을 가열하는 단계, 상기 가열된 무기산에 실란 화합물을 첨가하는 단계, 그리고 상기 무기산과 상기 실란 화합물을 반응시키는 단계를 포함한다.상기 반도체 소자의 식각 방법은 식각용 조성물에 첨가제로 사용시 식각용 조성물의 산화막에 대한 질화막의 식각 선택비를 높히고, 산화막의 식각속도를 조절하여 EFH를 용이하게 조절할 수 있고, 질화막 제거 시에 산화막의 막질 손상이나 산화막의 식각으로 인한 전기적 특성 저하를 방지하고,

본 발명은 반도체 소자의 식각 방법 및 이의 제조 장치에 관한 것으로서, 상기 반도체 소자의 식각 방법은 무기산을 가열하는 단계, 상기 가열된 무기산에 실란 화합물을 첨가하는 단계, 그리고 상기 무기산과 상기 실란 화합물을 반응시키는 단계를 포함한다.상기 반도체 소자의 식각 방법은 식각용 조성물에 첨가제로 사용시 식각용 조성물의 산화막에 대한 질화막의 식각 선택비를 높히고, 산화막의 식각속도를 조절하여 EFH를 용이하게 조절할 수 있고, 질화막 제거 시에 산화막의 막질 손상이나 산화막의 식각으로 인한 전기적 특성 저하를 방지하고, 파티클 발생을 방지할 수 있는 실란 무기산염을 간단한 방법을 통하여 높은 수율로 제조할 수 있다.

대표청구항 ▼

식각용 조성물을 이용하여 반도체 소자를 식각시키는 식각조, 상기 식각용 조성물을 상기 식각조에 공급하기 위한 제1 원료 공급부, 상기 식각조에 실리콘 첨가제를 공급하기 위한 제2 원료 공급부, 상기 식각조에 물을 보충하기 위한 물 보충부, 그리고 상기 식각용 조성물을 가열하기 위한 가열부를 포함하는 반도체 소자의 식각 장치를 사용하는 반도체 소자의 식각 방법에 있어서,상기 제1 원료 공급부에 의해 식각용 조성물을 식각조에 공급한 후, 상기 가열부에 의해 상기 식각용 조성물을 가열하는 단계, 상기 제2 원료 공급부에 의해 상기 식각용

식각용 조성물을 이용하여 반도체 소자를 식각시키는 식각조, 상기 식각용 조성물을 상기 식각조에 공급하기 위한 제1 원료 공급부, 상기 식각조에 실리콘 첨가제를 공급하기 위한 제2 원료 공급부, 상기 식각조에 물을 보충하기 위한 물 보충부, 그리고 상기 식각용 조성물을 가열하기 위한 가열부를 포함하는 반도체 소자의 식각 장치를 사용하는 반도체 소자의 식각 방법에 있어서,상기 제1 원료 공급부에 의해 식각용 조성물을 식각조에 공급한 후, 상기 가열부에 의해 상기 식각용 조성물을 가열하는 단계, 상기 제2 원료 공급부에 의해 상기 식각용 조성물에 실리콘 첨가제를 첨가하는 단계, 상기 식각조에서 반도체 소자를 식각하는 단계, 그리고상기 물 보충부에 의해 상기 식각용 조성물에 물을 보충하여 온도를 조절하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 식각 방법.