성호근
/ 경기도 수원시 영통구 봉영로****번길 ** ***동 ****호 (영통동,신나무실*단지아파트)
박원규
/ 서울특별시 서초구 효령로**길 **-**, ***동 ***호 (방배동, 방배한화아파트)
출원인 / 주소
(재)한국나노기술원 / 경기도 수원시 영통구 광교로 ***, 한국나노기술원연구벤처동 제*호(이의동)
대리인 / 주소
이준성
심사청구여부
있음 (2016-07-05)
심사진행상태
등록결정(일반)
법적상태
등록
초록▼
마이크로 히터를 구비하는 센서를 제조하는 방법이 개시된다. 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법은, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인
마이크로 히터를 구비하는 센서를 제조하는 방법이 개시된다. 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법은, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성된 검지물질층을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조물을 준비하는 단계와; 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 검지물질층 상부에 일시적으로 본딩 가능한 물질을 형성한 후 제2 기판을 본딩하는 단계와; 제3 기판, 및 상기 제3 기판 상에 공동구조나 마이크로 구멍 구조를 형성하고, 제 3 기판의 접합을 준비하는 단계와; 상기 버퍼층으로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계와; 상기 제1 기판을 분리한 후, 제1기판이 분리된 에피층에 마이크로 히터를 형성하는 단계와; 상기 마이크로 히터 구조를 형성한 후, 상기 제3 기판의 공동구조나 구멍에 마이크로 히터가 위치할 수 있도록 상기 제3 기판을 상기 버퍼층에 본딩하는 단계와; 상기 제3 기판을 본딩한 후 상기 고전자 이동도 트랜지스터 구조물에서 상기 제2 기판을 분리하는 단계를 포함한다.
대표청구항▼
제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성된 검지물질층을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조물을 준비
제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성된 검지물질층을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조물을 준비하는 단계;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 검지물질층 상부에 일시적으로 본딩 가능한 물질을 형성한 후 제2 기판을 본딩하는 단계;제3 기판, 및 상기 제3 기판 상에 공동구조나 마이크로 구멍 구조를 형성하고, 제 3 기판의 접합을 준비하는 단계;상기 버퍼층으로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계;상기 제1 기판을 분리한 후, 상기 검지물질층이 형성되는 상기 AlxGa1-x N층, InxAl1-x N층 및 InxAlyGa 1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층과 반대되는 면인 제1기판이 분리된 에피층에 마이크로 히터를 형성하는 단계;상기 마이크로 히터 구조를 형성한 후, 상기 제3 기판의 공동구조나 구멍에 마이크로 히터가 위치할 수 있도록 상기 제3 기판을 상기 버퍼층에 본딩하는 단계; 및상기 제3 기판을 본딩한 후 상기 고전자 이동도 트랜지스터 구조물에서 상기 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법.
발명자의 다른 특허 :
연구과제 타임라인
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이 특허를 인용한 특허 (1)
[한국]
고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법 및 이를 이용한 센서 |
조주영,
박경호,
박형호,
정해용
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