초록 ▼

DLC 박막을 제조하는 장치에 관한 것으로, 자세하게는 개선된 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링 방법(HIPIMS, high power impulse magnetron sputtering)을 추가적으로 이용하여 경도가 높은 DLC 박막을 제조하는 장치에 관한 것이다.제안된 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 개선된 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링 방법(HIPIMS, high power impulse magnetron sputtering)을 사용해서 복합적으로 경도가 높은 DLC 박막을 제작하는 것이다.일 양상에 있어서, DLC

DLC 박막을 제조하는 장치에 관한 것으로, 자세하게는 개선된 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링 방법(HIPIMS, high power impulse magnetron sputtering)을 추가적으로 이용하여 경도가 높은 DLC 박막을 제조하는 장치에 관한 것이다.제안된 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 개선된 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링 방법(HIPIMS, high power impulse magnetron sputtering)을 사용해서 복합적으로 경도가 높은 DLC 박막을 제작하는 것이다.일 양상에 있어서, DLC 박막 제조 장치는 다각 기둥 형상의 챔버; 흑연 타겟을 포함하는 HIPIMS 발생원; 크롬 타겟을 포함하는 크롬 아크 발생원; 및 챔버의 바닥면에 위치하여 기판을 지지하는 기판 홀더; 를 포함하되 상기 챔버의 각 측면에는 HIPIMS 발생원 또는 크롬 아크 발생원이 위치하는 것을 특징으로 할 수 있다.

대표청구항 ▼

다각 기둥 형상의 챔버;흑연 타겟을 포함하는 HIPIMS 발생원;크롬 타겟을 포함하는 크롬 아크 발생원; 및챔버의 바닥면에 위치하여 기판을 지지하는 기판 홀더; 를 포함하되,상기 챔버의 각 측면에는 HIPIMS 발생원 및 크롬 아크 발생원이 위치하고,상기 HIPIMS 발생원은 1000-2000v의 전압, 2~30%의 작동 주기(Duty cycle) 및 10~1000㎲의 펄스로 상기 흑연 타겟을 스퍼터링하고, 상기 HIPIMS 발생원에 형성된 제 1 자기회로는 흑연 타겟 표면에 가하는 수평 자기장이 500가우스 이상이며,상기 크롬 아

다각 기둥 형상의 챔버;흑연 타겟을 포함하는 HIPIMS 발생원;크롬 타겟을 포함하는 크롬 아크 발생원; 및챔버의 바닥면에 위치하여 기판을 지지하는 기판 홀더; 를 포함하되,상기 챔버의 각 측면에는 HIPIMS 발생원 및 크롬 아크 발생원이 위치하고,상기 HIPIMS 발생원은 1000-2000v의 전압, 2~30%의 작동 주기(Duty cycle) 및 10~1000㎲의 펄스로 상기 흑연 타겟을 스퍼터링하고, 상기 HIPIMS 발생원에 형성된 제 1 자기회로는 흑연 타겟 표면에 가하는 수평 자기장이 500가우스 이상이며,상기 크롬 아크 발생원이 동작함에 따라 크롬층, CrN층 및 천이층을 차례로 타켓 표면에 코팅하고, 이와 함께 상기 HIPIMS 발생원이 동작하여 고에너지를 가지는 탄소 이온이 상기 타켓 표면에 더 코딩되는 sp3 리치 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는, DLC 박막 제조 장치.