최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2016-0103101 (2016-08-12) | |
공개번호 | 10-2018-0018962 (2018-02-22) | |
등록번호 | 10-1893582-0000 (2018-08-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160103101 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2016-08-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 의한 웨이퍼 가공용 박리액 조성물 이를 포함하는 웨이퍼 가공용 박리제에 의하면 반도체 제조 공정 중에 에칭 또는 에싱 과정에서 웨이퍼의 표면에 형성된 코팅층을 상기 웨이퍼의 표면 손상이나 부식 현상없이 효율적으로 제거할 수 있는 박리제를 제조할 수 있다.
코팅층이 형성된 웨이퍼 가공용 박리제 조성물로서, 하기 화학식 1로 표시되는 제 1 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 제 2 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 제 3 화합물 및 계면활성제를 포함하고,상기 코팅층은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 박리제 조성물;[화학식 1]상기 화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 5 ~ 24개의 아릴기 또는 탄소수 4개 이하의 알킬기이고,[화학식 2]상기 화학식 2에서 R1 는 수소원자, 탄소수 5 ~ 24개의 아릴기 또
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.